IPD60R450E6ATMA1 دیتاشیت

IPD60R450E6ATMA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD60R450E6ATMA1
حجم فایل 33.649 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت IPD60R450E6ATMA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD60R450E6ATMA1
  • Power Dissipation (Pd): 74W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 9.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@280uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 450mΩ@10V,3.4A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه